[发明专利]太阳能电池芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811545801.0 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109585577A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;谢新雷;李刚;姜广增 | 申请（专利权）人： | 北京汉能光伏投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 101400 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池芯片及其制作方法。该太阳能电池芯片包括基板、第一电极层、依次形成于所述基板表面的SiO2膜层、形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx层表面的Si3N4膜层，所述第一电极层形成于所述Si3N4膜层表面。该太阳能电池芯片各膜层结合力强，厚度均匀，因而具有较长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池芯片 第一电极 膜层 膜层结合力 厚度均匀 基板表面 膜层表面 使用寿命 基板 制作 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池芯片，包括基板和第一电极层，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括依次形成于所述基板表面的SiO2膜层，形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx膜层表面的Si3N4膜层，所述第一电极层形成于所述Si3N4膜层表面。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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