[发明专利]一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置

摘要

一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固定在测试平台上，并与HEMT热阻测试仪相连接，在测试过程中，通过采用防自激振荡技术，大幅度减少HEMT器件自激振荡的发生，从而实现HEMT器件的稳定加热及测量，同时采用一种快速开关技术，在测量前快速短路HEMT源漏两端，减少由于防自激振荡电路引入的各项电学参数，如电容、电感等，对切换时间带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明可实现HEMT结温及热阻的稳定测量，并具有较好的通用性。

主权项

1.一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的装置，其特征在于，包括有：热阻测试仪、防自激电路、测试平台、被测HEMT器件；所述热阻测试仪包括计算机、采集卡、栅压电源、测试电流源、栅压电源/测试电流源切换开关、工作电源开关、工作电源及快速短路开关；所述防自激电路由一块具有防自激振荡设计的PCB电路板构成，将被测HEMT器件安装在电路中，减少HEMT器件自激振荡的发生，并由导线引出，与热阻仪相连；所述工作电源经工作电源开关控制，通过防自激电路为被测器件提供工作电压和电流，栅压电源和测试电流源通过栅压电源/测试电流源切换开关为被测器件提供栅极电压或测试电流，采集卡用于采集被测器件的电学温敏参数，计算机将采集到的温敏参数进行处理，得到瞬态响应曲线和热阻构成；所述快速短路开关是一种由MOS器件构成的快速开关电路，实现被测HEMT器件源漏的快速短路；所述测试平台由导热导热系数大于200W/m·K的材料制成的高导热恒温平台、水箱及其相应的导热液循环和控制系统。