[发明专利]硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201811548364.8 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110004491B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 铃木优作 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/12;C30B13/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的FZ法，培育硅单晶，所述方法实施下述步骤：步骤(S1)，利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据；步骤(S2)，基于培育实际数据，演算硅单晶的电阻率的实际值与硅单晶的掺杂气体吸收率的关系；步骤(S3)，基于电阻率的实际值和掺杂气体吸收率的关系，由使用同一培育装置制造的硅单晶的电阻率的目标值，演算掺杂气体供给量；和，步骤(S4)，在利用演算的掺杂气体供给量而吹附掺杂气体的同时，控制培育的硅单晶的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.硅单晶的制造方法，其中，通过在向熔融带域吹附掺杂气体的同时控制电阻率的浮区法，培育硅单晶，所述方法的特征在于，实施下述步骤：第1步骤，利用规定的培育装置而获取硅单晶的培育实际数据；第2步骤，基于获取的所述硅单晶的培育实际数据，演算所述硅单晶的电阻率的实际值与所述硅单晶的掺杂气体吸收率的关系；第3步骤，基于演算的电阻率的实际值和掺杂气体吸收率的关系，由使用同一培育装置制造的硅单晶的电阻率的目标值，演算掺杂气体供给量；和第4步骤，在利用演算的掺杂气体供给量而吹附掺杂气体的同时，控制培育的硅单晶的电阻率。
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