[发明专利]扇出型半导体封装件有效
| 申请号： | 201811548772.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110391219B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李润泰;赵银贞;金汉 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 马金霞;孙丽妍 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有第一通孔并包括布线层；第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中并具有形成在所述第一半导体芯片的下侧上的第一连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述芯构件和所述第一半导体芯片；连接构件，设置在所述芯构件和所述第一半导体芯片的下方并包括重新分布层；第一堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第一连接导体电连接到所述布线层；以及第二包封剂，设置在所述第一包封剂上并覆盖所述第一堆叠芯片。所述第一半导体芯片包括DRAM和/或控制器，所述第一堆叠芯片包括堆叠型NAND闪存，并且所述第一半导体芯片的第一连接焊盘通过所述重新分布层电连接到所述布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：芯构件，具有第一通孔并包括一个或更多个布线层；第一半导体芯片，设置在所述第一通孔中并具有形成在所述第一半导体芯片的下侧上的第一连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述芯构件的至少一部分和所述第一半导体芯片的至少一部分；连接构件，设置在所述芯构件和所述第一半导体芯片的下方并包括一个或更多个重新分布层；第一堆叠芯片，设置在所述第一包封剂上并通过第一连接导体电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层；以及第二包封剂，设置在所述第一包封剂上并覆盖所述第一堆叠芯片的至少一部分，其中，所述第一半导体芯片包括动态随机存取存储器和控制器中的至少一者，所述第一堆叠芯片包括堆叠型NAND闪存，并且所述第一半导体芯片的所述第一连接焊盘通过所述连接构件的所述一个或更多个重新分布层电连接到所述芯构件的所述一个或更多个布线层。
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