[发明专利]一种金属半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 201811549415.9 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341831A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 陶临钢;韩丹惠 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/201;H01L29/207;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 赵双 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括：衬底层；第一缓冲层，第二缓冲层，外延层，沟道层，第三缓冲层，电极层；电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；源电极层包括源电极和源极帽层，栅电极层包括栅电极和第三缓冲层，漏电极层包括漏电极和漏极帽层；栅电极层和源电极层、漏电极层之间设置有凹槽。本发明在不引入额外的栅漏电容的情况下提高了器件的输出电流，且本发明在不增加制造工艺难度的情况下改善器件的直流和交流特性。通过采用多层缓冲层结构，提升外延层的结构质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司，未经西安智盛锐芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811549415.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种法兰闸阀
- 下一篇：一种兼容多种大数据图表库引擎的图表生成方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
