[发明专利]提高电子器件在高频频段内的抑制度或隔离度的结构和方法在审
| 申请号： | 201811551302.2 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111342788A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;梁新红;郑云卓 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H1/00 | 分类号： | H03H1/00;H03H3/007;H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于滤波器的封装载板，包括：多个导电层；设置在导电层之间的介质层；和绕线电感，绕线电感的一端适于与对应滤波器电连接，绕线电感的另一端电连接多个导电层中的底层导电层；其中：所述封装载板在绕线电感限定的闭合区域或者半闭合区域内，设置有通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的一端电连接底层导电层，且所述导体柱与所述绕线电感间隔开以形成电容。本发明还涉及一种提升多工器在高频频段内的抑制度的方法，所述多工器包括设置在封装载板上的多个滤波器，所述滤波器具有并联支路，所述并联支路上串接有并联谐振器以及接地电感，所述方法包括步骤：在至少一个滤波器的接地电感并联连接电容。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电子器件 高频 频段 抑制 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
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