[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件及其制造方法。从衬底部分地刻蚀支撑层和模层，以在衬底上形成模制图案和支撑图案，使得接触孔穿过支撑图案和模制图案而形成，并且互连件通过接触孔而被暴露。在掩模图案上形成下电极层，以填充接触孔，并且通过部分地去除下电极层和掩模图案而形成接触孔中的下电极。下电极与互连件接触并由具有与支撑层相同厚度的支撑图案支撑。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底的整个表面上顺序地形成模层、支撑层和掩模图案，所述衬底具有由核心区域限定的单元区域，并且下导电结构和与所述下导电结构接触的至少一个互连件位于所述衬底的在所述模层下面的单元区域上；通过使用所述掩模图案作为刻蚀掩模的刻蚀处理来部分地去除所述支撑层和所述模层，以形成模制图案和所述模制图案上的支撑图案，使得接触孔穿过所述支撑图案和所述模制图案而形成，从而暴露所述单元区域中的所述至少一个互连件；在所述掩模图案上形成下电极层，以填充所述接触孔；通过部分地去除所述下电极层并去除所述掩模图案来形成所述接触孔中的电容器的下电极，使得所述下电极由所述支撑图案支撑并且与所述互连件接触，所述支撑图案具有与所述支撑层相同的厚度。