[发明专利]一种FDSOI形成方法

摘要

本发明涉及一种FDSOI形成方法，涉及集成电路加工工艺，在硅外延生长前，使用蚀刻机台，通过堆积牺牲层的方式，并加以适当的蚀刻，在表层硅侧面形成一道牺牲层保护层，在硅外延生长的过程中，可以避免外延硅在此生长，从而形成与表层硅平齐的外延硅结构，以增大了集成电路设计和工艺制程窗口。

主权项

1.一种FDSOI形成方法，其特征在于，包括：S1：提供内层埋氧化层；S2：使用沉积的方式在所述内层埋氧化层的顶层和底层生长一层保护层，其中所述保护层包括位于内层埋氧化层顶层的表层硅和位于内层埋氧化层底层的基地硅；S3：在光刻机中，在部分所述表层硅上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，然后进行光刻工艺；S4：进行蚀刻工艺，在蚀刻机中，以所述光刻胶层为掩模层蚀刻掉部分所述表层硅和所述内层埋氧化层，然后进行去除光刻胶工艺；S5：牺牲层堆积工艺，在蚀刻机中堆积牺牲层，堆积的所述牺牲层覆盖所述基地硅的上表面、所述表层硅的上表面以及位于所述基地硅的上表面与所述表层硅的上表面之间的表层硅的侧表面；S6：牺牲层蚀刻工艺，在蚀刻机中，蚀刻掉堆积在所述基地硅的上表面和所述表层硅的上表面的所述牺牲层，保留覆盖在位于所述基地硅的上表面与所述表层硅的上表面之间的表层硅的侧表面的所述牺牲层，形成牺牲侧墙层；以及S7：硅外延生长工艺，使用硅外延生长的方式，在所述基地硅的上表面生长外延硅。