[发明专利]电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811557004.4 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109728104A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;袁中存;费正洪 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 张炜平 |
| 地址： | 224400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电池片钝化层中间体、太阳能电池片及其制备方法，其中所涉及的钝化层中间体包括依次沉积于硅片背面的氧化铝底膜及氧化铝外膜，且氧化铝底膜内富含羟基，基于本发明所提供钝化层中间体的结构，在具体太阳能电池片应用场景中，退火后由其形成的钝化层既能起到较好的钝化效果，还能够避免退火过程中羟基受热后穿透并破坏钝化层外表面，从而使得电池片具有较好的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 太阳能电池片 电池片 氧化铝 底膜 羟基 制备 退火 钝化效果 退火过程 应用场景 综合性能 受热 硅片 富含 外膜 沉积 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种电池片钝化层中间体，其特征在于，所述钝化层中间体包括依次沉积于硅片背面的氧化铝底膜及氧化铝外膜，所述氧化铝底膜内富含羟基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
