[发明专利]一种0-3型PZT-γ-C2S压电复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811557492.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109659428A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 王发洲;周雄;刘志超;穆元冬;何永佳 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18;H01L41/37 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;官群 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种0‑3型PZT‑γ‑C2S压电复合材料及其制备方法，所述压电复合材料原料由以下体积百分比的组分组成：γ‑C2S粉22‑30％，PZT陶瓷颗粒55‑65％，水12‑17％，增强相0‑2％。本发明提供的0‑3型PZT‑γ‑C2S压电复合材料强度高，强度发展快，密实度高，耐久性和体积稳定性优异，同时，碳化基体与压电相的力学性能匹配度高，有利于提升该复合材料的压电性能，压电与力学性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 压电复合材料 力学性能 制备 体积百分比 体积稳定性 强度发展 碳化基体 压电性能 复合材料 密实度 匹配度 压电相 增强相 压电 | ||
【主权项】：
1.一种0‑3型PZT‑γ‑C2S压电复合材料，其特征在于，其原料由以下体积百分比的组分组成：γ‑C2S粉22‑30％，PZT陶瓷颗粒55‑65％，水12‑17％，增强相0‑2％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811557492.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种过渡金属包覆In
- 下一篇：具有存储器结构的半导体元件
