[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201811557539.1 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261706B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘振强;许正源;宋达 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H10B41/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器结构及其制造方法，其中该存储器结构包括至少二浮置栅极、二硬掩模条、一抹除栅极以及二选择栅极。至少二浮置栅极配置于基底上。二硬掩模条分别配置于浮置栅极上方，并裸露出部分浮置栅极。浮置栅极的裸露部分彼此面对。抹除栅极配置于浮置栅极之间的基底上。二选择栅极配置于浮置栅极外侧的基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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