[发明专利]一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法有效
申请号: | 201811557616.3 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109637929B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 聂钰节;昂开渠;贺赫 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/67;H01L21/768 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法,该方法使刻蚀腔对晶圆在不同功率和刻蚀时间下刻蚀。控制系统对功率和刻蚀时间实时采集,并对功率、时间及该运算系数进行乘积,得到与该刻蚀工序对应的刻蚀量,已知的初始刻蚀量与运算得到的刻蚀量相加得到累积刻蚀量,将累积刻蚀量与已知的基准刻蚀量比较,若累积刻蚀量小于基准刻蚀量,则对其它刻蚀工序逐个重复以上步骤,直到累积刻蚀量达到基准刻蚀量,才对刻蚀腔进行维护保养。该方法可根据混合作业中不同刻蚀工艺的刻蚀强度计算刻蚀腔中接触部件的损耗,及时计算出刻蚀腔的维护保养周期,避免刻蚀腔部件损耗过大,造成部件异常和腔体环境变化,从而导致晶圆出现颗粒污染等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 混合 刻蚀 工艺 稳定性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高混合刻蚀工艺稳定性的方法,其特征在于,该方法至少包括以下步骤:步骤一、提供一具有初始刻蚀量的刻蚀腔和具有不同刻蚀工序需求的晶圆;步骤二、使所述刻蚀腔提供与其中一个所述刻蚀工序对应的功率和刻蚀时间,并在该功率和刻蚀时间下针对所述晶圆进行刻蚀;步骤三、提供一控制系统,该控制系统对所述功率和刻蚀时间进行实时采集;步骤四、所述控制系统提供与步骤三中所述功率和刻蚀时间对应的运算系数,并对所述功率、时间及该运算系数进行乘积运算,得到与该刻蚀工序对应的刻蚀量;步骤五、所述控制系统将所述初始刻蚀量与步骤四中所述刻蚀量进行加和运算得到累积刻蚀量;步骤六、所述控制系统提供一基准刻蚀量,并将步骤五中的累积刻蚀量与所述基准刻蚀量进行比较,若所述累积刻蚀量小于所述基准刻蚀量,则针对所述晶圆的其它刻蚀工序逐个进行步骤二至步骤五,直到所述累积刻蚀量达到所述基准刻蚀量,对所述刻蚀腔进行维护保养。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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