[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜电池的方法及其装置在审
申请号: | 201811557674.6 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109817732A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 徐义;岳志远 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/58 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于镀膜技术领域,具体涉及一种制备铜铟镓硒薄膜电池的方法及其装置。该制备方法包括以铜,铟,镓三种元素为蒸发源,在基板上进行蒸发镀膜,同时以硒靶材为磁控溅射靶在基板上进行磁控溅射,得到镀膜后的基板;将所述镀膜后的基板进行退火处理,即得铜铟镓硒太阳能薄膜。该制备方法以共蒸发法和磁控溅射相结合的方式制备CIGS薄膜,可以使CIGS薄膜具有较好的禁带宽度的纵向梯度的同时提高硒元素的利用率,克服了CIGS薄膜中元素配比易发生波动和硒元素浓度调试困难的问题,且磁控溅射有助于提高成膜均匀性。 | ||
搜索关键词: | 制备 基板 磁控溅射 铜铟镓硒薄膜电池 硒元素 镀膜 成膜均匀性 磁控溅射靶 太阳能薄膜 调试困难 镀膜技术 铜铟镓硒 退火处理 元素配比 蒸发镀膜 纵向梯度 共蒸发 蒸发源 靶材 禁带 | ||
【主权项】:
1.一种制备铜铟镓硒薄膜电池的方法,其特征在于,该方法包括:以铜、铟、镓三种元素为蒸发源,采用共蒸发方式对基板进行镀膜,同时以硒靶材为磁控溅射靶对所述基板进行磁控溅射;对镀膜和溅射后的基板进行退火处理,得到铜铟镓硒太阳能薄膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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