[发明专利]半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备在审
| 申请号： | 201811558002.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109994581A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 谷川兼一;川田宽人 | 申请（专利权）人： | 日本冲信息株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件、发光器件芯片、光学打印头和图像形成设备。半导体器件1000包括：发光晶闸管10，其包括第一导电类型的第一半导体层1040、第二导电类型的第二半导体层1030、第一导电类型的第三半导体层1020和第二导电类型的第四半导体层1010；以及第一至第三电极61A、51G和41K。第一半导体层1040包括第一层1043、具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg宽的带隙BGcl1的第二层1042、以及具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的杂质浓度IMng和IMpg高的杂质浓度IMac1并且具有比第二半导体层1030和第三半导体层1020的带隙BGng和BGpg窄或与其相等的带隙BGac1的第三层1041。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 带隙 半导体器件 第一导电类型 发光器件芯片 图像形成设备 光学打印头 导电类型 发光晶闸管 第三电极 第三层 第一层 相等 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括发光晶闸管，所述发光晶闸管包括：第一导电类型的第一半导体层；与第一半导体层相邻布置的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层相邻布置的第一导电类型的第三半导体层；以及与第三半导体层相邻布置的第二导电类型的第四半导体层；其中第一半导体层包括：第一层；具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙宽的第一带隙的第二层；以及具有比第二半导体层的第二杂质浓度和第三半导体层的第三杂质浓度高的第一杂质浓度的第三层，所述第三层具有比第二半导体层的第二带隙和第三半导体层的第三带隙窄或与其相等的第四带隙。
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