[发明专利]一种全透明异质结光晶体管及其制备方法在审
申请号: | 201811558062.9 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109659436A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 陈惠鹏;郭太良;曹曙光;巫晓敏;刘亚倩;李恩龙 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及了一种全透明异质结光晶体管及其制备方法。该全透明异质结光晶体管采用顶栅垂直结构,从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极,所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极。本发明提供的垂直结构异质结光晶体管可以实现紫外到可见光的宽光谱探测。该垂直结构异质结光晶体管具有超短的载流子传输沟道和大的激子分离界面,并借助金属氧化物半导体高的载流子迁移率,可以实现超高光电性能。该垂直结构的全透明异质结光晶体管有望广泛用于全光谱光探测器、光突触等领域。 | ||
搜索关键词: | 异质结光晶体管 垂直结构 全透明 绝缘层 可见光 制备 金属氧化物半导体 氧化物半导体层 载流子迁移率 载流子传输 分离界面 光电性能 光探测器 依次设置 源极接触 宽光谱 全光谱 网状源 吸光层 电极 顶栅 沟道 基底 激子 漏极 突触 探测 | ||
【主权项】:
1.一种全透明异质结光晶体管,其特征在于:所述光晶体管为顶栅垂直结构,从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极,所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极;所述基底为玻璃,所述绝缘层为氧化铝或PVP,所述网状源极为金属纳米线或碳纳米管,所述可见光吸光层为有机半导体材料、量子点材料或钙钛矿材料,所述氧化物半导体层为金属氧化物半导体。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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