[发明专利]侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811559379.4 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109686810A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 颜伟;张博文;黄镇;李兆峰;刘雯;韩国威;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/112;H01L31/113;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 衬底 太赫兹探测器 侧栅 源层 场效应晶体管 刻蚀 晶体管器件结构 肖特基接触 欧姆接触 响应特性 生长 晶体管 共振 沟道 漏极 源极 杂散 制备 | ||
【主权项】：
1.一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，其特征在于，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与所述台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与所述台面形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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