[发明专利]栅极与薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201811559840.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109786232A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王建刚 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。所述栅极的制造方法包含：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。本发明实施例的栅极与薄膜晶体管的制造方法可减少或避免所述栅极的毛刺结构的产生，进而改善所述薄膜晶体管的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 铝层 氧化铝层 制造 基板 表面形成 工作效率 毛刺结构 氧化处理 钼层 | ||
【主权项】：
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：提供一基板；形成一铝层在所述基板上；对所述铝层进行一氧化处理，以使所述铝层的一表面形成一氧化铝层；及形成一钼层在所述氧化铝层上，以形成所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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