[发明专利]多管芯阵列装置在审
申请号: | 201811560243.5 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN110010510A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯;杰伦·约翰内斯·玛丽业·扎尔;约翰内斯·亨里克斯·约翰娜·詹森;阿马尔·阿肖克·马维库夫 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/544;H01L23/66;H01Q1/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供各种实施例,包括制造多管芯封装的方法,所述方法包括:将多个倒装芯片管芯和分离器管芯放置在牺牲载体上;执行焊料回焊以将每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的焊料凸块接合到包括测试探针电路的所述牺牲载体;测试所述倒装芯片管芯和所述分离器管芯;替换任何故障管芯;将所述倒装芯片管芯和所述分离器管芯在所述牺牲载体上包覆成型以形成嵌入式管芯面板;将所述嵌入式管芯面板平坦化以暴露所述嵌入式管芯的背表面;跨越所述嵌入式管芯面板的所述背表面形成金属化层;以及移除所述牺牲载体以暴露所述嵌入式管芯面板的前表面,其中每个倒装芯片管芯和分离器管芯的每个焊料凸块的接触表面暴露于所述前表面中。 | ||
搜索关键词: | 倒装芯片管芯 管芯 分离器管 嵌入式 焊料凸块 背表面 多管芯 前表面 暴露 焊料 包覆成型 测试探针 金属化层 阵列装置 接合 平坦化 回焊 移除 封装 替换 电路 测试 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造多管芯封装的方法,其特征在于,所述方法包括:将多个倒装芯片管芯和多个分离器管芯放置在牺牲载体上,每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯以有源侧向下朝向定位于所述牺牲载体上;执行焊料回焊以将每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的焊料凸块接合到所述牺牲载体,其中所述牺牲载体包括测试探针电路;使用所述测试探针电路在探针测试中测试所述多个倒装芯片管芯和所述多个分离器管芯;如由所述测试指示替换任何故障倒装芯片管芯和任何故障分离器管芯;将所述多个倒装芯片管芯和所述多个分离器管芯在所述牺牲载体上包覆成型以形成嵌入式管芯面板;将所述嵌入式管芯面板平坦化以使每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的背表面暴露于所述嵌入式管芯面板的背表面中;跨越所述嵌入式管芯面板的背表面形成金属化层,所述金属化层接触每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的所述背表面;以及移除所述牺牲载体以暴露所述嵌入式管芯面板的前表面,其中每个倒装芯片管芯和每个分离器管芯的每个焊料凸块的接触表面暴露于所述嵌入式管芯面板的所述前表面中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦有限公司,未经恩智浦有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811560243.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造