[发明专利]内埋元件封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811560410.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111048427A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 陈建泛;王建皓 | 申请（专利权）人： | 日月旸电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓区*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种内埋元件封装结构的制造方法，包括下列步骤。提供一载板，并形成一半固化的第一介电层于载板上，半固化的第一介电层具有一第一表面。提供一元件于半固化的第一介电层上，且分别自元件的上方及下方提供一热源以固化第一介电层。形成一第二介电层于第一介电层上，以覆盖元件。形成一图案化线路层于第二介电层上，图案化线路层与元件电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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