[发明专利]去膜机载片台及硅片加工设备在审
| 申请号： | 201811560737.3 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109449108A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 许莉 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种去膜机载片台及硅片加工设备，涉及半导体材料加工设备技术领域，本发明提供的去膜机载片台包括吸附机构、第一升降机构、定位件和第二升降机构，吸附机构与第一升降机构连接，并在第一升降机构的带动下吸附硅片，定位件穿过第一升降机构与第二升降机构连接，并在第二升降机构的带动下对硅片进行定位。本发明提供的去膜机载片台能够有效限定硅片相对于滚轴的位置，使得各个硅片上的蓝膜均能够得到充分的去除，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 升降机构 硅片 去膜 硅片加工设备 吸附机构 定位件 半导体材料加工设备 工作效率 滚轴 蓝膜 去除 吸附 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种去膜机载片台，其特征在于，包括吸附机构(1)、第一升降机构(2)、定位件(3)和第二升降机构(4)，所述吸附机构(1)与所述第一升降机构(2)连接，并在所述第一升降机构(2)的带动下吸附硅片，所述定位件(3)穿过所述第一升降机构(2)与所述第二升降机构(4)连接，并在所述第二升降机构(4)的带动下对所述硅片进行定位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林华微电子股份有限公司，未经吉林华微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811560737.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蚀刻设备
- 下一篇：一种用于LED灯的扩晶机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
