[发明专利]浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201811561799.6 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111341724B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈爱军;居健 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺及浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离工艺包括：在硅衬底表面依次淀积第一厚度的厚栅氧层和第二厚度的氮化硅层；对厚栅氧层、氮化硅层和硅衬底进行处理以形成凹槽；在凹槽中填充浅沟槽隔离介质，直至浅沟槽隔离介质覆盖第二厚度的氮化硅层之上达到第三厚度；对浅沟槽隔离介质进行化学机械抛光处理，直到凹槽中的浅沟槽隔离介质与凹槽两侧的厚栅氧层的高度一致；最后剥离氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度。本发明能使得浅沟槽隔离结构中的厚栅氧层各个位置的厚度基本为第一厚度，从而提高厚栅氧的栅氧完整性特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 隔离 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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