[发明专利]微孔型LED电极结构及其制备方法有效
申请号: | 201811562056.0 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109545934B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 周智斌;刘泰荣;徐平 | 申请(专利权)人: | 湘能华磊光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/14 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 423038 湖南省郴*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本申请公开了一种微孔型LED电极结构及其制备方法,涉及LED半导体领域,包括:衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、微孔型透明绝缘层和电极层;电极层包括P电极以及与P电极电连接的P电极线、N电极以及与N电极电连接的N电极线;P电极通过过孔与P型半导体层电连接,N型电极与N型半导体层电连接;微孔型透明绝缘层包括多个第一微孔,P电极线通过第一微孔与电流扩展层电连接;微孔型透明绝缘层还包括多个第二微孔,N电极线通过第二微孔与N型半导体层电连接;P电极通过第一微孔定点向LED注入电流,N电极通过第二微孔定点向LED注入电流。如此,提升LED芯片的亮度。 | ||
搜索关键词: | 微孔 led 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微孔型LED电极结构,其特征在于,包括:衬底、沿垂直于衬底所在平面的方向设置在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、微孔型透明绝缘层和电极层;所述电极层包括P电极以及与所述P电极电连接的至少两条P电极线、N电极以及与所述N电极电连接的N电极线,所述P电极和所述P电极线在所述衬底基板所在平面的正投影与所述N电极和所述N电极线在所述衬底基板所在平面的正投影不交叠,且所述N电极线在所述衬底基板所在平面的正投影位于两条所述P电极线之间;所述P电极通过过孔与所述P型半导体层电连接,所述N型电极与所述N型半导体层电连接;所述微孔型透明绝缘层包括多个第一微孔,所述第一微孔沿所述微孔型透明绝缘层的厚度方向贯穿所述微孔型透明绝缘层,所述P电极线通过所述第一微孔与所述电流扩展层电连接;所述微孔型透明绝缘层还包括多个第二微孔,所述第二微孔沿所述微孔型透明绝缘层和所述电流阻挡层的厚度方向贯穿所述微孔型透明绝缘层、所述电流扩展层、所述电流阻挡层、所述P型半导体层和所述多量子阱层,所述N电极线通过所述第二微孔与所述N型半导体层电连接;所述P电极通过所述第一微孔定点向所述LED注入电流,所述N电极通过所述第二微孔定点向所述LED注入电流。
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