[发明专利]一种IGBT模块有效
| 申请号： | 201811562267.4 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109755229B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郭新华;傅金源;金宇航;黄珂 | 申请（专利权）人： | 浙江芯丰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人： | 罗莎 |
| 地址： | 318000 浙江省台州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT模块，属于功率器件技术领域。它解决了现有功率器件的封装结构复杂的问题。本IGBT模块，所述DBC基板的上表面具有铜箔层，每个铜箔层上均开设有两个分割槽，三个铜箔一之间、三个下桥铜箔之间以及三个上桥铜箔之间均通过沿横向布置的键合线串联；所述下桥铜箔和上桥铜箔均固定有所述IGBT芯片、FRD芯片，位于同一个铜箔上的IGBT芯片的发射极与FRD芯片的阳极通过沿横向布置的键合线连接；所述下桥铜箔上的IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极均通过沿纵向布置的键合线与铜箔一电连接，所述上桥铜箔上的IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极均通过沿纵向布置的键合线与下桥铜箔电连接。本结构显著简化IGBT模块的封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT模块，包括外壳(1)和三块位于外壳(1)内从左到右间隔布置的DBC单元(2)，每个DBC单元(2)均包括DBC基板(21)、两个IGBT芯片(22)和两个FRD芯片(23)，所述IGBT芯片(22)的上表面具有栅极和发射极、下表面为集电极，所述FRD芯片(23)的上表面为阳极、下表面为阴极，所述DBC基板(21)的上表面具有铜箔层(3)，其特征在于，每个铜箔层(3)上均开设有两个分割槽(4)，两个分割槽(4)将铜箔层(3)分割成相互独立的铜箔一(31)、下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33)，所述铜箔一(31)、下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33)从前到后依次间隔设置，三个铜箔一(31)之间、三个下桥铜箔(32)之间以及三个上桥铜箔(33)之间均通过沿横向布置的键合线串联；所述下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33)均固定有所述IGBT芯片(22)、FRD芯片(23)，并且与相应IGBT芯片(22)的下表面、相应FRD芯片(23)的下表面焊接，位于同一个铜箔上的IGBT芯片(22)的发射极与FRD芯片(23)的阳极通过沿横向布置的键合线连接；所述下桥铜箔(32)上的IGBT芯片(22)的发射极和FRD芯片(23)的阳极均通过沿纵向布置的键合线与铜箔一(31)电连接，所述上桥铜箔(33)上的IGBT芯片(22)的发射极和FRD芯片(23)的阳极均通过沿纵向布置的键合线与下桥铜箔(32)电连接。
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