[发明专利]单片同层光电结构

摘要

本发明涉及一种单片同层光电结构，包括：衬底层、器件层、第一SiO2层及第一氮化硅膜、第二氮化硅膜，所述衬底层、所述器件层、所述第一SiO2层依次层叠设置；其中，所述器件层包括：依次水平隔离设置于所述衬底层上的光电器件和CMOS器件；所述光电器件包括：n++掺杂Si层、n++掺杂Ge层、光源子结构、波导结构、探测器子结构，且所述光源子结构、所述波导结构、所述探测器子结构相互隔离设置于所述n++掺杂Ge层上，所述n++掺杂Ge层设置于所述n++掺杂Si层上；所述第一氮化硅膜包裹所述波导结构，所述第二氮化硅膜包裹所述探测器子结构；本发明的单片同层光电结构集成了光电结构和COMS器件，且集成后半导体器件具有高度的器件兼容性。