[发明专利]一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法在审
| 申请号： | 201811564087.X | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109574672A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄政仁;吴海波;刘学建;陈忠明;姚秀敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，该制备方法包括：（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，得到所述碳化硅微滤膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 微滤膜 制备 反应烧结碳化硅 水基碳化硅浆料 水性硅溶胶 碳化硅粉体 支撑体表面 热处理 碳化硅膜 水混合 碳化硅 涂覆 | ||
【主权项】：
1.一种反应烧结碳化硅微滤膜层的制备方法，其特征在于，包括：（1）将碳化硅粉体、碳源、水性硅溶胶和水混合，得到水基碳化硅浆料；（2）将所得水基碳化硅浆料涂覆于碳化硅膜支撑体表面，再经干燥后，在保护气氛中、1300℃～1600℃下热处理，得到所述碳化硅微滤膜层。
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