[发明专利]一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法

摘要

一种超声释放式Micro‑LED巨量转移方法包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜，晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；该方法可实现激光透明与非透明转移基板上的晶片的有效释放，避免常规激光剥离/激光加热剥离等方法对晶片和转移基板不利的热影响。

主权项

1.一种超声释放式Micro‑LED巨量转移方法，其特征在于，包括如下步骤，A、转移准备，转移基板水平放置，转移基板的下表面富有弹性膜， Micro‑LED晶片粘附在弹性膜的表面，在平放转移基板的上表面的位置设有超声发生单元，在该超声发生单元表面安装有超声换能器；B、选择对齐，超声发生单元与转移基板上某处Micro‑LED晶片对齐，通过超声换能器实现直接接触；C、形变释放，超声作用在某些特定位置时，该处的弹性膜产生变形，在Micro‑LED晶片背面拱起，使晶片脱离转移基板，在重力作用下落到目标衬底上；D、持续释放，释放转移基板某处Micro‑LED晶片后，超声发生单元移动到下一释放位置，与该位置上的Micro‑LED晶片对齐，释放该处 Micro‑LED晶片；所述转移基板是激光透明或非透明基板，所述转移基板为刚性基板；所述步骤A中，超声发生单元的功率为0.1~20 W；所述步骤A中，超声换能器每次使晶片脱落一个,保证了晶片的转移精度，避免晶片一次脱落多个；所述步骤A中，超声发生单元上超声换能器的间距远大于转移基板上Micro‑LED晶片的间距，前者为后者的正整数倍；超声发生单元上超声换能器可通过机械结构移动实现间距改变；超声发生单元上超声换能器的间距与目标衬底上Micro‑LED晶片安装位置的间距相等。