[发明专利]用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法有效
| 申请号： | 201811565087.1 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109580688B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 齐俊杰;许磊;卫喆;胡超胜;李志超 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 11401 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料检测技术领域，提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，包括：制备样品，样品包括M个测试区域，不同的测试区域的GaN的厚度不同，使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域，使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射，获取电子能量损失谱，根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；按照相同的方式分析第2～M个测试区域；根据第1～M个测试区域内的杂质原子的数量，得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％。 | ||
| 搜索关键词： | 测试区域 痕量杂质元素 高精度检测 杂质原子 入射 电子束 电子能量损失谱 非弹性散射 半导体GaN 材料检测 电子发生 方式分析 浓度检测 杂质元素 纵向分布 散射 制备 测试 分析 | ||
【主权项】：
1.一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，其特征在于，所述高精度检测方法包括：/n步骤S1、制备样品，所述样品包括M个测试区域，不同的所述测试区域的GaN的厚度不同，M为大于或等于2的正整数；/n步骤S2、使用入射电子束入射至所述样品的第1个测试区域，使所述入射电子束中的电子在第1个测试区域发生弹性散射和非弹性散射；/n步骤S3、获取所述电子在发生非弹性散射过程中的电子能量损失谱；/n步骤S4、根据步骤S3中所述电子能量损失谱分析所述第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；/n步骤S5、按照步骤S2至步骤S4中相同的方式，分析第2个测试区域至第M个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；/n步骤S6、根据所述第1个测试区域内的杂质原子的数量至所述第M个测试区域内的杂质原子的数量，分析所述样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。/n
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