[发明专利]一种MEMS电容薄膜真空规在审
| 申请号： | 201811565352.6 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109632181A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李得天;成永军;韩晓东;孙雯君;李刚;袁征难;孙健;高洁 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李爱英;郭德忠 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS电容薄膜真空规，能够实现1～1000Pa范围真空度的测量，测量分辨率为0.5Pa。感压薄膜为具有岛状结构膜的圆形薄膜。圆形薄膜在径向应力以及应变非常均匀，在相同压力下，圆膜的挠度比方膜更大，从而使得感压薄膜的灵敏度更高。而岛状结构膜可以增大薄膜的刚度，进而降低感压薄膜的挠度，增大基础电容，有利于提高分辨率同时，使得压力‑电容关系的线性度更优。同时，具有岛状结构膜的圆形薄膜为双侧电极差动式敏感电容结构，使得感压薄膜因压力产生形变时，敏感电容输出变化量相等、方向相反的两个电容量，再通过后续差分测量电路构成双差分结构，从而提高共模抑制比，消除寄生电容以及温度等因素对测量结果的影响，提高测量的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 感压 岛状结构膜 圆形薄膜 电容薄膜 真空规 分辨率 挠度 测量 敏感电容结构 测量分辨率 共模抑制比 输出变化量 差分测量 差分结构 电容关系 方向相反 基础电容 寄生电容 径向应力 敏感电容 压力产生 灵敏度 形变 侧电极 差动式 电容量 线性度 相等 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS电容薄膜真空规，包括进气口(7)、感压薄膜(2)、固定电极、真空腔室(5)、上基底(3)、下基底(10)和引出电极(8)，其特征在于，所述固定电极包括上电极(4)与下电极(6)，上电极(4)或下电极(6)上设有与进气口(7)相对的开口；真空腔室(5)内被感压薄膜(2)分为上下两个空间；上基底(3)和下基底(10)与感压薄膜(2)相对的端面上分别放置上电极(4)与下电极(6)；所述感压薄膜(2)为包括岛膜以及平膜，平膜为圆形薄膜，其中，岛膜为平膜上下两侧对称设置的凸起膜；上电极(4)与下电极(6)大小与感压薄膜(2)大小一致。
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