[发明专利]一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺

摘要

本发明涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决双面电池背面小白点比例高的问题，提供了一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，包括以下步骤：(1)上料；(2)进舟；(3)升温；(4)吹扫；(5)抽真空；(6)氧化；(7)回压冷却；(8)出舟；(9)下料。本发明通过工艺设计，高温吹扫烘烤与低压快速排空相结合，使双面电池背面小白点比例不良率由20％下降至1％以内，大幅提高了双面电池的良率，提高了双面电池的可靠性，在低压高温快速排空环境下，为进行氧化时使硅片表面提供了更高的洁净度，使生长的SiO2更致密、更均匀，表面复合更少，从而为硅片提供了优良的钝化层。

主权项

1.一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)上料：将刻蚀完成后的硅片插入石英舟里；(2)进舟：将插入石英舟的硅片送入炉管；(3)升温：将炉管内温度升温至850～980℃，同时炉管内压力50～100mbar；(4)吹扫：通入氮气，氮气流量为5～10slm，炉管内压力100～300mbar；(5)抽真空：炉管内压力20～50mbar；(6)氧化：降低温度至700～800℃，同时通入氮气2～4slm和氧气1～3slm进行氧化，炉管内压力100～400mbar；(7)回压冷却：继续降温至600～650℃，通入氮气，炉管内压力1050～1060mbar；(8)出舟：氧化完成后将石英舟从炉管里取出；(9)下料：将石英舟的硅片进行卸片，即完成变温变压热氧化工艺。