[发明专利]一种单晶材料、及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201811566327.X | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109371469A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 黄明远;刘才;程涵彦 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶材料，所述单晶材料为铜掺杂硫化钽单晶，所述单晶材料为2H相。本发明单晶材料的制备方法，包括如下步骤：(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合，得到前驱体；(2)将所述前驱体放入单晶炉中，熔融生长，制得单晶材料粗品。本发明采用在单晶炉中熔融生长的方式制备单晶材料，制得材料的成功率高，在单晶炉中熔融生长可有效的控制晶体的尺寸和形貌，生长周期缩短至十天以内，可工业化生产，且制得的单晶材料不易开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶材料 单晶炉 熔融 制备 前驱体 生长 形貌 控制晶体 生长周期 铜掺杂 硫化 粗品 单晶 多晶 放入 卤盐 成功率 | ||
【主权项】：
1.一种单晶材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)将TaS2多晶、Cu粉和卤盐混合，得到前驱体；(2)将所述前驱体放入单晶炉中，熔融生长，制得单晶材料粗品。
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