[发明专利]在待处理对象表面上注入离子的方法及实现该方法的装置有效
| 申请号： | 201811566500.6 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109950118B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | C·米科;P·维利;J-L·贝津;A·库尔;A·布尔梅 | 申请（专利权）人： | 斯沃奇集团研究和开发有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在放置于真空室(20)中的待处理对象(24)的表面上注入单电荷或多电荷离子的方法，该方法包括同时包含以下项的步骤：将由离子源(26)产生的离子束(30)注射到所述真空室(20)中，并将该离子束(30)导向所述待处理对象(24)的表面，以及通过产生在所述真空室(20)中传播的紫外线辐射(36)的紫外线辐射源(32)照射所述待处理对象(24)的表面。本发明还涉及用于实现该注入方法的离子注入装置(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 对象 表面上 注入 离子 方法 实现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在放置于真空室(20)中的待处理对象(24)的表面上注入单电荷或多电荷离子的方法，该方法包括同时包含以下项的步骤：将由离子源(26)产生的离子束(30)注射到所述真空室(20)中，并将该离子束(30)导向所述待处理对象(24)的表面，以及通过产生在所述真空室(20)中传播的紫外线辐射(36)的紫外线辐射源(32)照射所述待处理对象(24)的表面。
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