[发明专利]LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201811567232.X | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111354792B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王孝远;王刚宁;彭坤;辜良智;蒲贤勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法、半导体器件的形成方法，LDMOS器件包括：位于漂移区内的漏区；位于体区内的源区，基底暴露出所述源区表面，且所述源区紧挨栅极结构，所述源区的掺杂类型与漏区的掺杂类型相同；位于所述体区内且紧挨所述源区的体接触区，所述基底暴露出所述体接触区表面，且所述体接触区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；位于所述体区内且位于所述体接触区下方的击穿调节掺杂区，所述击穿调节掺杂区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同，所述击穿调节掺杂区适于提高所述体区与漂移区之间的抗穿通能力。本发明在体接触区与体区之间设置有击穿调节掺杂区，提高体区与漂移区之间的抗穿通能力。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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