[发明专利]一种提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法在审
| 申请号： | 201811567532.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109371378A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 唐秀凤;马定邦;李彬锋;黄俏颖;杨嘉碧;罗坚义 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 卢娟 |
| 地址： | 529000 广东省江门市蓬江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法。该方法采用物理气相沉积法制备透明导电氧化物薄膜，在薄膜制备过程中，对基底进行加热，加热温度为所述透明导电氧化物薄膜的二次结晶温度。本发明的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法工艺简单，在薄膜沉积过程中原位进行基底加热即可，不需要对薄膜或基底进行另外的表面处理，薄膜功函数的调制幅度大，且不只适用于一种透明导电氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电氧化物薄膜 功函数 基底 薄膜 加热 薄膜沉积过程 薄膜制备过程 物理气相沉积 调制幅度 二次结晶 基底加热 | ||
【主权项】：
1.一种提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，在物理气相沉积法制备透明导电氧化物薄膜的过程中，对基底进行加热，加热温度为所述透明导电氧化物薄膜的二次结晶温度。
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