[发明专利]一种半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，包括Si衬底、Ge层、光源GeSn层、波导GeSn层、探测器GeSn层、光源p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Ge层、光源p+掺杂Si层、探测器p+掺杂Si层、光源保护层、探测器保护层、第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层、电极各层由下至上依次层叠设置于Si衬底上；第一应力膜设置于第一氧化层、第二氧化层、α‑Si层上和两侧及波导GeSn层两侧；第二应力膜设置于探测器GeSn层、探测器p+掺杂Ge层、探测器p+掺杂Si层、探测器保护层两侧及探测器保护层上。本发明通过使用Si基改性Ge材料，实现光源、波导以及探测器的同层制备，器件结构新颖、集成度高、工艺成本低。