[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811568616.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110010753A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 池田贤司 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/62;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 朱丽娟;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供半导体发光装置及其制造方法。一种半导体发光装置，抑制装置工作时热膨胀对发光元件的影响，并且能够改善发光特性。半导体发光装置具有：金属芯，其隔着树脂层嵌合到形成于基板的通孔中，且贯穿基板；热传导膜，其形成在金属芯的上表面的区域内，且具有平坦面；以及半导体发光元件，其隔着粘接层与热传导膜的平坦面接合。热传导膜的外缘与所述金属芯的上表面的外缘分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体发光装置 热传导膜 金属芯 平坦面 上表面 基板 热膨胀 半导体发光元件 发光特性 发光元件 抑制装置 接合 树脂层 粘接层 嵌合 通孔 制造 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于，所述半导体发光装置具有：基板；金属芯，其隔着树脂层嵌合到形成于所述基板的通孔中，且贯穿所述基板；热传导膜，其形成在所述金属芯的上表面的区域内，且具有平坦面；以及半导体发光元件，其隔着粘接层与所述热传导膜的所述平坦面接合，所述热传导膜的外缘与所述金属芯的所述上表面的外缘分离。
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