[发明专利]导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及导电结构形成方法在审
申请号: | 201811569295.9 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110010611A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | N·M·洛梅利;T·乔治;J·D·格林利;S·M·波克;J·M·梅尔德里姆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及形成导电结构的方法。一些实施例包含一种集成电路的导电结构。所述导电结构包含上部主部分,其中所述上部主部分具有被配置为容器的第一导电组成部分。所述容器具有底部及从所述底部向上延伸的一对侧壁。所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间。所述上部主部分包含被配置为块体的第二导电组成部分,所述块体填充所述容器的所述内部区。所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分具有不同的组成。一或多个导电突起部结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。一些实施例包含包括位于导电结构上方的存储器单元的组合件。一些实施例包含形成导电结构的方法。 | ||
搜索关键词: | 导电结构 导电 存储器单元 组合件 垂直堆叠 内部区 侧壁 块体 导电突起 向上延伸 向下延伸 申请案 配置 填充 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路的导电结构,其包括:上部主部分;所述上部主部分包括被配置为容器的第一导电组成部分,所述容器具有底部且具有从所述底部向上延伸的一对侧壁;所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间;所述上部主部分包括被配置为块体的第二导电组成部分,所述块体填充所述容器的所述内部区;所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分包括不同的组成;所述第二导电组成部分沿着界面结合至所述第一导电组成部分,所述界面沿着所述容器的所述侧壁的内表面且跨越所述容器的所述底部的上表面延伸;及一或多个导电突起部,其结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的