[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质在审
| 申请号： | 201811569953.4 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110021546A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 小玉辉彦;松永浩一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处理前在该晶片的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜成步骤(步骤S5)，其中，该降低摩擦膜用于降低晶片的背面与在曝光处理时保持晶片的背面的保持面的摩擦。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 降低摩擦 曝光处理 计算机存储介质 基片处理装置 基片处理 背面 晶片处理 抗蚀剂膜 抗蚀剂液 光刻 涂敷 显影 摩擦 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光的涂敷膜进行显影，所述基片处理装置的特征在于：包括在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成部，其中，所述降低摩擦膜用于降低所述基片的背面与在曝光处理时保持所述基片的背面的保持面的摩擦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
