[发明专利]用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811570537.6 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109994378A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | E.法尔克;F-J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在构件区域（600）的与锯道区域（800）连接的边缘区域中构造沟道截断区域（191），其从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中。此后，在构件区域（600）中构造从第一主表面（701）出发延伸到构件层（710）中的经掺杂的区域（120）。沟道截断区域（191）通过在第一光刻法之前实施的光刻法来构造，所述第一光刻法用于将掺杂物引入在沟道截断区域（191）之外的构件区域（600）的区段中。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道截断区域 构件区域 光刻法 构件层 主表面 第一导电类型 半导体器件 边缘区域 掺杂的 掺杂物 延伸 锯道 引入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在构件区域（600）的与锯道区域（ 800）连接的边缘终止区域（690）中构造从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中的沟道截断区域（191）；以及构造在所述构件区域（600）中从所述第一主表面（701）出发延伸到所述构件层（710）中的经掺杂的区域（120），其中借助在第一光刻法之前实施的光刻法来构造所述沟道截断区域（191），其中所述第一光刻法用于将掺杂物引入到在所述沟道截断区域（191）之外的所述构件区域（600）的区段中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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