[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备在审
| 申请号： | 201811571575.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111354655A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 高印博 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体；基座，设置在所述腔室本体内；加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射组件能够将入射至其表面的加热光线反射至所述基座处。这样，可以利用所设置的反射组件将入射至其表面的加热光线重新反射至基座上，能够极大的提高加热件所辐射出的加热光线的加热效率，能够使得基座以及位于基座上的晶片快速升温，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
