[发明专利]一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法有效

专利信息
申请号: 201811571654.4 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109713100B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 唐江;杜培培;李京徽;牛广达 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L33/26 分类号: H01L33/26;H01L33/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法,其特征在于,该方法是先将CsX和PbX2按摩尔比为(1.1~1.4):1混合形成富铯前驱体,接着再将该前驱体放入同一蒸发源中,利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层,该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm~300nm,具有CsPbX3和Cs4PbX6复合相,具有高荧光量子产率,且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管。本发明利用同源真空法,通过前驱体的组成及配比的控制,以及热蒸发过程中配合发挥作用的其他参数条件进行改进,利用投料比控制薄膜物相的组分,提高绝对荧光量子产率,得到的全无机钙钛矿薄膜发光效率高、符合理想化学计量比、厚度薄、致密均匀无针孔。
搜索关键词: 一种 制备 无机 钙钛矿 发光二极管 活性 方法
【主权项】:
1.一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法,其特征在于,该方法是先将CsX和PbX2按摩尔比为(1.1~1.4):1混合形成富铯前驱体,接着再将该前驱体放入同一蒸发源中,利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层,该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm~300nm,具有CsPbX3和Cs4PbX6复合相,具有高荧光量子产率,且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管;其中,X代表卤族元素。
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