[发明专利]一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法有效
| 申请号： | 201811571654.4 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109713100B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 唐江;杜培培;李京徽;牛广达 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，该方法是先将CsX和PbX |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 无机 钙钛矿 发光二极管 活性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，该方法是先将CsX和PbX2按摩尔比为(1.1～1.4):1混合形成富铯前驱体，接着再将该前驱体放入同一蒸发源中，利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层，该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm～300nm，具有CsPbX3和Cs4PbX6复合相，具有高荧光量子产率，且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管；其中，X代表卤族元素。
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