[发明专利]一种三维有结半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种三维有结半导体存储器件及其制造方法，该三维有结半导体存储器件具有垂直沟道结构及在垂直方向上堆叠的多个栅极层，垂直沟道结构包括在垂直方向上交替堆叠的源漏材料层与沟道材料层，源漏材料层包括p型多晶硅，沟道材料层包括n型多晶硅，从而构成在垂直方向上串联连接的多个有结型晶体管，不仅可以实现更小的器件尺寸，还可以实现更加灵活的存储单元操作。本发明的三维有结半导体存储器件的制造方法能够巧妙地形成在垂直方向上交替堆叠的不同掺杂类型的源漏材料层与沟道材料层，实现离子注入技术难以获得的三维有结半导体存储器件。