[发明专利]一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811571923.7 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109725375A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘昆;叶嗣荣;田坤;段利华;黄茂;莫才平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米光栅制作领域，具体涉及一种Ⅲ‑Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，包括采用干法刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆上；使用氧气干法刻蚀晶圆表面；判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复上述步骤，否则结束刻蚀；本发明在光栅刻蚀的时候，将光栅刻蚀过程分段，抑制刻蚀表面Ⅲ、Ⅴ族元素的大量累积，减少聚合物的生成，同时衬底温度不会有较大的升高；并在分段周期内引入表面清洗工艺，使用氧气干法刻蚀光栅表面，氧气与有机聚合物发生反应，生成可挥发生成物，有效去除刻蚀过程中产生的聚合物，使光栅表面光洁。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 刻蚀 干法刻蚀 氧气 材料纳米 光栅表面 刻蚀过程 聚合物 晶圆 分段 表面清洗工艺 有机聚合物 光栅图形 晶圆表面 刻蚀表面 纳米光栅 光洁 衬底 挥发 去除 掩膜 升高 引入 重复 制作 | ||
【主权项】：
1.一种Ⅲ‑Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，包括：S1、采用干法刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆上；S2、使用氧气干法刻蚀晶圆表面；S3、判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复步骤S1～S2，否则结束刻蚀。
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