[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811572822.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111354640B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 尹成功;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；位于衬底上的多层半导体层；位于多层半导体层的有源区内的多个源极、多个栅极和多个漏极；源极包括第一类源极和第二类源极，第一类源极包括位于有源区边缘的两个源极，第二类源极包括位于两个第一类源极之间的多个源极；贯穿衬底和多层半导体层的通孔；第一类源极在衬底上的垂直投影覆盖第一类通孔在衬底上的垂直投影，第二类源极在衬底上的垂直投影覆盖第二类通孔在衬底上的垂直投影，每个第一类源极对应的第一类通孔电感值大于每个第二类源极对应的第二类通孔电感值。采用上述技术方案，可以去除不同栅极对应器件间存在的相位不平衡现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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