[发明专利]一种高强低阻导电陶瓷膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811573304.1 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109456078A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 瞿广飞;李志顺成;解若松;冯涛;宁平 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/00;C04B35/565;C04B35/48;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高强低阻导电陶瓷膜及其制备方法，其由以下质量百分比的组成物通过共混‑烧结法制备而得：无机杂化导电陶瓷材料25%～35%、超导体材料20%～25%、无机纳米金属颗粒5%～10%、无机高强材料30%～35%、造孔剂1%～5%、交联剂1%～5%、烧结助剂1%～5%；该膜通过在导电陶瓷原料中加入超导体材料，实现陶瓷膜的导电性能大幅度加强，并且同时加入无机高强材料，从而提高膜的机械强度性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电陶瓷 高强材料 低阻 制备 导电陶瓷材料 机械强度性能 无机纳米金属 超导体材料 质量百分比 导电性能 导体材料 烧结法制 烧结助剂 无机杂化 交联剂 陶瓷膜 造孔剂 组成物 共混 | ||
【主权项】：
1.一种高强低阻导电陶瓷膜，其特征在于，由以下质量百分比的组成物通过共混‑烧结法制备而得：无机杂化导电陶瓷材料25%～35%、超导体材料20%～25%、无机纳米金属颗粒5%～10%、无机高强材料30%～35%、造孔剂1%～5%、交联剂1%～5%、烧结助剂1%～5%。
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