[发明专利]沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法，在同一反应腔内，先在半导体衬底中形成第一沟槽，然后多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺，以垂直向下加深第一沟槽的深度，且第一反应离子刻蚀工艺的第一沉积步骤中采用以生成聚合物为主的刻蚀气体，第一反应离子刻蚀工艺的第一刻蚀步骤采用以衬底的非等向性刻蚀为主的刻蚀气体；接下来多次循环执行第二反应离子刻蚀工艺，第二反应离子刻蚀工艺包括依次被执行的第二沉积步骤和第二刻蚀步骤，第二刻蚀步骤中的刻蚀气体改成以衬底的等向性刻蚀为主的刻蚀气体，从而可以在第一沟槽的底部形成球形沟槽，同时保持了第一沟槽的形貌和关键尺寸。

主权项

1.一种沟槽的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层；在一反应腔内，刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成第一沟槽；在所述反应腔内，多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺，以刻蚀所述第一沟槽底部的所述半导体衬底至一目标深度，所述第一反应离子刻蚀工艺包括依次被执行的第一沉积步骤和第一刻蚀步骤，所述第一沉积步骤采用以生成聚合物为主的刻蚀气体，所述第一刻蚀步骤采用以所述半导体衬底的非等向性刻蚀为主的刻蚀气体；以及，在所述反应腔内，多次循环执行第二反应离子刻蚀工艺，以刻蚀所述第一沟槽底部的所述半导体衬底，直至在所述第一沟槽底部形成一具有要求直径的球形沟槽，所述第二反应离子刻蚀工艺包括依次被执行的第二沉积步骤和第二刻蚀步骤，所述第二沉积步骤采用以生成聚合物为主的刻蚀气体，所述第二刻蚀步骤采用以所述半导体衬底的等向性刻蚀为主的刻蚀气体。