[发明专利]一种磁场辅助化学刻蚀的装置及方法在审
| 申请号： | 201811574042.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109860039A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 丁雪峰;沈雷 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种磁场辅助化学刻蚀的方法，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料；S2、将待刻蚀材料放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀；本发明还提供了一种磁场辅助化学刻蚀的装置，包括，溶液瓶，用以容纳刻蚀液和待刻蚀材料；磁场激发装置，设置于所述溶液瓶的外部，用以提供稳定的磁场，通过在常规化学刻蚀外加上磁场，使刻蚀溶液中阴阳离子沿一定方向运动，实现定向刻蚀，降低对保留图形的侧面损伤，并且可加速离子运动，提升刻蚀速率，操作简便，成本低，且可以实现现阶段所有常见半导体芯片的定向化学刻蚀，应用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 化学刻蚀 磁场 磁场辅助 刻蚀材料 刻蚀 刻蚀液 溶液瓶 半导体材料 半导体芯片 常规化学 定向刻蚀 光刻处理 激发装置 加速离子 刻蚀溶液 阴阳离子 放入 涂胶 损伤 容纳 侧面 外部 保留 应用 | ||
【主权项】：
1.一种磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料(2)；S2、将待刻蚀材料(2)放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
