[发明专利]用于操作晶体管器件的方法和具有晶体管器件的电子电路在审
申请号: | 201811574874.2 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109962697A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | R·伊玲;C·德耶拉希-切克;A·迈耶 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/14 | 分类号: | H03K17/14;H03K17/60;H03K17/687 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;崔卿虎 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本文公开了用于操作晶体管器件的方法和具有晶体管器件的电子电路。该方法包括:监测晶体管器件的操作参数和负载路径电压;当操作参数低于与操作参数相关联的阈值时,以正常模式操作晶体管器件,其中以正常模式操作晶体管器件包括基于驱动信号在导通状态和关断状态中的一种状态中操作晶体管器件;在基于将操作参数与阈值进行比较而检测到故障时,以故障模式操作晶体管器件,其中以故障模式操作晶体管器件包括关断晶体管器件。在导通状态中操作晶体管器件包括根据取决于负载路径电压的第一特性曲线来调节阈值,并且在关断状态中操作晶体管器件包括根据与第一特性曲线不同的第二特性曲线来调节阈值。 | ||
搜索关键词: | 晶体管器件 操作参数 特性曲线 导通状态 电子电路 负载路径 故障模式 关断状态 正常模式 驱动信号 与操作 阈值时 关断 关联 监测 检测 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:监测晶体管器件(1)的操作参数和负载路径电压(VDS);当所述操作参数低于与所述操作参数相关联的阈值(TH)时,以正常模式操作所述晶体管器件(1),其中以所述正常模式操作所述晶体管器件(1)包括基于驱动信号(SDRV)在导通状态和关断状态中的一种状态中操作所述晶体管器件(1);以及在基于将所述操作参数与所述阈值(TH)进行比较而检测到故障时,以故障模式操作所述晶体管器件(1),其中以所述故障模式操作所述晶体管器件(1)包括关断所述晶体管器件(1),其中在所述导通状态中操作所述晶体管器件(1)包括根据取决于所述负载路径电压(VDS)的第一特性曲线来调节所述阈值(TH),以及其中在所述关断状态中操作所述晶体管器件(1)包括根据与所述第一特性曲线不同的第二特性曲线来调节所述阈值(TH)。
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