[发明专利]一种掺杂氧化石墨烯属性检测方法

摘要

本发明提供了一种掺杂氧化石墨烯属性检测方法，所述检测方法包括以下步骤：获取待测掺杂氧化石墨烯的X射线光电子能谱图，利用除C 1S峰和O lS峰之外出现的新峰及新峰对应的结合能确定掺杂元素种类，并根据新峰对应的结合能位置判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为晶格掺杂或吸附掺杂；获取待测掺杂氧化石墨烯的拉曼光谱图，判定待测掺杂氧化石墨烯掺杂方式为n型掺杂或p型掺杂以及判定待测掺杂氧化石墨烯层数。本发明的检测方法能够利用X射线光电子能谱与拉曼光谱相结合的方式对氧化石墨烯的掺杂方式进行精确分析；能够将高分辨率透射电子显微镜，拉曼光谱，原子力显微镜三种测定技术进行有机结合，能够系统的检测掺杂氧化石墨烯的层数。

主权项

1.一种掺杂氧化石墨烯属性检测方法，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤：获取待测掺杂氧化石墨烯的X射线光电子能谱图，利用除C 1S峰和O lS峰之外出现的新峰及新峰对应的结合能确定掺杂元素种类，并根据新峰对应的结合能大小判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为晶格掺杂或吸附掺杂；获取待测掺杂氧化石墨烯的拉曼光谱图，判定待测掺杂氧化石墨烯掺杂方式为n型掺杂或p型掺杂以及判定待测掺杂氧化石墨烯层数，其中，所述判定待测掺杂氧化石墨烯掺杂方式步骤包括：拉曼光谱图中，在G峰蓝移，且G'峰红移的情况下，判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为n型掺杂；在G峰蓝移，且G'峰蓝移的情况下，判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为p型掺杂；或者所述判定待测氧化石墨烯掺杂方式步骤包括：拉曼光谱图中，随科恩异常效应减弱，在G峰向高波数位移，且G'峰向低波数位移的情况下，判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为n型掺杂；在G峰向高波数位移，且G'峰向高波数位移的情况下，判定掺杂氧化石墨烯的掺杂方式为p型掺杂；所述判定待测掺杂氧化石墨烯层数步骤包括：计算所述拉曼光谱图中的IG/I2D，当IG/I2D小于1.0时，初步判定掺杂氧化石墨烯为单层或双层结构；当IG/I2D为1.0～1.5时，初步判定掺杂氧化石墨烯为3层或4层结构；当IG/I2D大于1.5时，初步判定掺杂氧化石墨烯为5层以上结构，其中，所述IG表示G峰强度，所述I2D表示2D峰强度。