[发明专利]三维封装天线及其封装方法在审

专利信息
申请号: 201811575135.5 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109473765A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 林正忠;陈彦亨;林章申;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;H01Q1/36
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种三维封装天线及其封装方法,使用两层封装层、两层金属连接柱及两层天线金属层将封装天线结构中的天线传送功能模块及天线接收功能模块通过三维封装的方式进行封装,有效减小了封装天线的体积;另外,三维封装的方式,有效缩短了封装天线结构中元件的信号传输线路,使封装天线的电连接性能及天线效能得到很大提高,从而减少封装天线的功耗以及电磁波的衰减;最后,通过在各有源器件之间设置电磁防护柱或电磁防护框,有效降低各封装天线中元件之间的电磁干扰,提高天线效能。
搜索关键词: 封装 天线 三维封装 两层 电磁防护 天线结构 天线效能 信号传输线路 电连接性能 金属连接柱 电磁干扰 天线传送 天线接收 天线金属 电磁波 封装层 源器件 功耗 减小 衰减
【主权项】:
1.一种三维封装天线的封装方法,其特征在于,所述封装方法至少包括以下步骤:提供支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述分离层接触的第一面及相对的第二面;提供功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、第一无源组件及第二无源组件,将所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件接合于所述重新布线层的第二面上;于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱,所述第一金属连接柱与所述重新布线层电连接;采用第一封装层封装所述第一金属连接柱、所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件,并使得所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;于所述第一封装层的表面形成第一天线金属层,所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接;提供SAW滤波器组件及天线调谐器组件,将所述SAW滤波器组件及所述天线调谐器组件接合于所述第一天线金属层;于所述第一天线金属层上形成第二金属连接柱;采用第二封装层封装所述第一天线金属层、所述第二金属连接柱、所述SAW滤波器组件及所述天线调谐器组件,并使得所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;于所述第二封装层的表面形成第二天线金属层,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接;去除所述分离层及所述支撑基底;提供收发一体芯片及电源管理集成电路芯片,将所述收发一体芯片及所述电源管理集成电路芯片接合于所述重新布线层的第一面上;于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块。
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