[发明专利]一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法有效

专利信息
申请号: 201811576980.4 申请日: 2018-12-23
公开(公告)号: CN109686521B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 周东平 申请(专利权)人: 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
主分类号: H01C17/08 分类号: H01C17/08
代理公司: 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 代理人: 明志会
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法,S1、将陶瓷基板进行预处理;S2、将陶瓷基板装入工装夹具内,再投放入蒸发镀膜设备,在真空度达到2X10(‑2)PA、温度达到200℃后开始镀膜;S3、给真空室冲99.999%纯度的氮气,流量为20‑400CC/min;S4、打开离子源,离化氮气,同时阳极电压设置在300‑350V;S5、蒸发99.99%纯度的金属钽,蒸发速度控制在1‑20A/s,得到氮化钽薄膜,氮化钽薄膜的厚度为200‑5000nm;S6、蒸发镀膜完成后,设置降温曲线。本发明采用离子辅助蒸发镀膜的工艺做氮化钽薄膜电阻膜,把工艺温度从800℃降低到200℃,降低了镀膜成本,实现了产业化。
搜索关键词: 一种 基于 陶瓷 薄膜 电阻 制作方法
【主权项】:
1.一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将陶瓷基板进行预处理;S2、将陶瓷基板装入工装夹具内,再投放入蒸发镀膜设备,在真空度达到2X10(‑2)PA、温度达到200℃后开始镀膜;S3、给真空室冲99.999%纯度的氮气,流量为20‑400CC/min;S4、打开离子源,离化氮气,同时阳极电压设置在300‑350V;S5、蒸发99.99%纯度的金属钽,蒸发速度控制在1‑20A/s,得到氮化钽薄膜,氮化钽薄膜的厚度为200‑5000nm;S6、蒸发镀膜完成后,设置降温曲线。
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